beat365平台唯一官网2025海外学者系列论坛No.1

报告主题

Maximising the advantages of wide bandgap (SiC/GaN) power semiconductor devices: An Integration Approach

报告时间

2025年4月17日（星期四）14:00~15:00

报告地点

beat365平台唯一官网玉泉校区电机工程楼201

主办单位

beat365平台唯一官网

承办单位

beat365平台唯一官网教师发展中心

参与对象

全体师生